位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的速度：位錯(cuò)以一定的速度運(yùn)動(dòng)，其值之大小對(duì)具體金屬來說取決于作用應(yīng)力之值和溫度條件。中．澤依茲給出數(shù)據(jù)，按這些數(shù)據(jù)；當(dāng)純金屬單晶體變形速度為l×l0-e秒時(shí)，開始塑性變形所必須的滑移應(yīng)力為在1m.ma上零點(diǎn)幾公斤力，并指出，低變形速度時(shí)  絮在金屬中觀察到無論任何小的載荷下均有微小的和逐漸的流動(dòng)。顯然應(yīng)該這樣解釋，當(dāng)具有熱振動(dòng)的情況T甚至最低的負(fù)載也能夠引起位錯(cuò)的定向移動(dòng)，所以也能引起塑性變形。隨著應(yīng)力增加，熱振動(dòng)對(duì)位錯(cuò)移動(dòng)可能性的影響降低了。而位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，同時(shí)還有位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的速度主要地決定于作用應(yīng)力的數(shù)值�，F(xiàn)有的關(guān)于位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)速度與基本因素間關(guān)系的研究的實(shí)驗(yàn)結(jié)果很有局限性C111]，但是這些結(jié)果表明，這種關(guān)系可近似地用指數(shù)函數(shù)表示 位錯(cuò)的相互作用：正如前邊所述，在位錯(cuò)區(qū)域內(nèi)，由于原子離開了具有最低位能的位置，相應(yīng)地產(chǎn)生了應(yīng)力場，并引起位能增加。位錯(cuò)力場可與溶質(zhì)原子力場相互作用，并且靠近位錯(cuò)的溶質(zhì)原子相互吸引�？催^刃型位錯(cuò)力場，就可明了這種吸引的原因。在滑移面上邊為壓縮區(qū)，而滑移面下邊為伸長區(qū)。對(duì)于插入型溶質(zhì)元素的原子，由于容易將它放置于遠(yuǎn)離開的原子之間，靠近伸長區(qū)的原子相互吸引。對(duì)于置換型溶質(zhì)元素的原子來說，如果原子尺寸大于基體金屬原子的尺寸，則靠近伸長區(qū)的原子相互吸引；如果原子尺寸小于基體金屬原子尺寸，則靠近壓縮區(qū)的原子相互吸引。溶質(zhì)原子的這種布局格式減少了位能，這是因?yàn)槲诲e(cuò)力場和異質(zhì)原子力場合并的總力場的能量小于位錯(cuò)力場的能量與異質(zhì)原子力場的能量之和的緣故。這樣，由于擴(kuò)散過程酌結(jié)果，位錯(cuò)就成為溶質(zhì)原子氣團(tuán)（科垂耳氣團(tuán)）。這樣的位錯(cuò)開始運(yùn)動(dòng)（使位錯(cuò)由科垂耳氣團(tuán)中走出）所必須的應(yīng)力大于位錯(cuò)繼續(xù)運(yùn)動(dòng)所需的應(yīng)力。大口徑不銹鋼管由溶質(zhì)原子包圍著的位錯(cuò)具有能量甲，沒有異質(zhì)原子的位錯(cuò)力場的能量為乙，沒有位錯(cuò)的異質(zhì)原子力場的能量為丙，若甲與（乙+丙）之間的差值越大，則這種應(yīng)力的值的差（即位錯(cuò)由科垂耳氣團(tuán)中走出的應(yīng)力與位錯(cuò)繼續(xù)運(yùn)動(dòng)的應(yīng)力之間的差）也愈大。

位錯(cuò)力場不僅與異質(zhì)原子力場相互作用，而且位錯(cuò)力場自己之間也相互作用。例如，在同一滑移面上排列的異號(hào)位錯(cuò)（正位錯(cuò)和負(fù)位錯(cuò)）互相吸弓l（當(dāng)匯合時(shí)消失），而同號(hào)位錯(cuò)互相排斥。排列在相交平面上的位錯(cuò)也同樣互相作用并趨向于占據(jù)具有低位錯(cuò)晶格的位置。在相當(dāng)高溫度下長時(shí)間退火過程中，組成了小塊或同一尺寸的空間格架（富蘭克網(wǎng)架）(111J的位錯(cuò)可以移動(dòng)。相互連接起來的刃型位錯(cuò)其“多余平面”相截。為了使位錯(cuò)開始運(yùn)動(dòng)所需要的應(yīng)力要比全刃型位錯(cuò)或全螺旋位錯(cuò)開始運(yùn)動(dòng)所需要的應(yīng)力大得多。類似的位錯(cuò)稱為“坐式位錯(cuò)”。在大口徑不銹鋼管未變形金屬中位錯(cuò)的空間網(wǎng)架的存在構(gòu)成了可動(dòng)位錯(cuò)開始移動(dòng)的阻礙，這種阻礙提高了單晶體的彈性極限。除了位錯(cuò)組成空間網(wǎng)架之外（當(dāng)然伴隨著總能量的降低），當(dāng)位于平行的滑移面上的同符號(hào)位錯(cuò)自上至下成行地排列起來時(shí)，則可組成所謂位錯(cuò)墻。彼此相距不遠(yuǎn)的不同長度的平行位錯(cuò)墻使單晶體分解成亞晶粒（鑲嵌塊）。使單晶體分解成亞晶�！�—多邊形的位錯(cuò)墻的生成叫做多邊化。為了使位錯(cuò)排列成墻，必須既有位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，又有位錯(cuò)攀移，因之也有多邊化——熱活性化過程。

在塑性變形過程申，位錯(cuò)密度的增加將引起已經(jīng)產(chǎn)生的位錯(cuò)堆集起來，生成了位錯(cuò)空間網(wǎng)。網(wǎng)架和墻組成的位錯(cuò)繼續(xù)運(yùn)動(dòng)就變得愈加困難。同時(shí)位錯(cuò)墻和鑲嵌塊邊界變成了其它（可動(dòng)）位錯(cuò)經(jīng)過它們的運(yùn)動(dòng)障礙。一  但是，不僅是位錯(cuò)空間網(wǎng)架和位錯(cuò)墻顯示出位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻力。相當(dāng)大的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)阻力是來自溶質(zhì)原子力場，也來自交叉滑移面樞紐（這與在兩交叉滑移面上或其中之一上產(chǎn)生滑移面與否無關(guān)）。后一現(xiàn)象是與在交叉滑移面樞紐處產(chǎn)生坐式位錯(cuò)（角位錯(cuò)）有關(guān)，這種位錯(cuò)對(duì)可動(dòng)位錯(cuò)的移動(dòng)表現(xiàn)出極大的阻礙。www.shaoyzx.com